2020年-2025年

1.   一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，王致远、陆海、周东、徐尉宗，专利申请号：CN202010309443.4（已授权）

2.   基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法，程亮、陆海,、徐尉宗、任芳芳、周东，专利申请号：CN202010423278.5（已授权）

3.   一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法，石娅婷、任芳芳、陆海、徐尉宗，叶建东 周东，专利申请号：CN202010428472.2

4.   一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，周峰、陆海、徐尉宗、柏宇、任芳芳，专利申请号：CN202011088858.X（已授权并成果转化）

5.   一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，周峰、陆海、徐尉宗、任芳芳，专利申请号：CN202011088859.4（已授权并成果转化）

6.   一种功率器件电学参数测量电路及测量方法，陆海、周峰、徐尉宗、任芳芳，专利申请号：CN202110255859.7

7.   一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，周峰、陆海、徐尉宗、任芳芳，专利申请号：CN202011088859.4（已授权并成果转化）

8.   一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，陆海、周峰、徐尉宗、任芳芳，专利申请号：CN202110255008.2（已授权）

9.   一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外探测器及其制备方法，陆海、王致远、周东、徐尉宗，专利申请号：CN202110623694.4

10.  一种广谱可调超窄带通滤光系统，任芳芳、刘泽森、石娅婷、刘兴华、陆海、徐尉宗、周东、王宜望，专利申请号：CN202110852943.7（已授权）

11.  一种基于选区离子注入的碳化硅基横向PN结极紫外探测器及其制备方法，陆海、王致远、周东、徐尉宗，专利申请号：CN202111196401.5（已授权并成果转化）

12.  一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法，陆海、曾昶琨、徐尉宗、任芳芳、周东，专利申请号：CN202111229966.9（已授权）

13.  基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法，陆海、杜永浩、徐尉宗、巩贺贺、任芳芳、叶建东、周东，专利申请号：CN 202210157686.X

14.  双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，徐尉宗、柏宇、陆海、杜永浩、任芳芳、周峰、周东，专利申请号：CN202210478107.1

15.  一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，陆海、周天扬，周峰、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202210477893.3

16.  一种集成MISFET栅控功能和场板功能的氮化镓肖特基二极管及其制作方法，陆海、周峰、徐尉宗、任芳芳，专利申请号：CN202211239583.4

17.  半导体器件原位测试系统，周峰、王文峰、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳,专利申请号：CN2023113701263（已授权）

18.  一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，周峰、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202311343078.9（已授权并成果转化）

19.  一种深紫外光广角探测封装结构，任芳芳,张健红,陆海,叶建东,张荣，专利申请号：CN202410506023.3（已授权）

20.  一种辐照场景下半导体器件周峰、钱俊帆、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410469102.1（已授权）

21.  一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，周峰、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410482373.0（已授权）

22.  一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法，周峰、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410491715.5（已授权）

23.  一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，周峰、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410708841.1（已授权）

24.  一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，周峰、周天扬、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410704305.4（已授权）

25.  一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法，周峰、邹灿、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202410751811.9（已授权）

26.  SILICON CARBIDE-BASED LATERAL PN JUNCTION EXTREME ULTRAVIOLET DETECTOR BASED ON SELECTIVE-AREA ION IMPLANTATION, AND PREPARATION METHOD THEREOF，陆海、周东、徐尉宗，专利申请号：US12080821B2（美国授权）

27.  一种 4H-SiC 雪崩光电探测器及其制备方法，陆海、周炎、李天义、周东、张荣，专利申请号：CN202411175841.6（已授权）

28.  复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，徐尉宗、瞿昊、陆海、赵九州、周东、任芳芳、周峰，专利申请号：CN202411421681.9（已授权）

29.  一种碳化硅探测器及其制作方法，徐尉宗、郭越、陆海、徐仁杰、周东、任芳芳、周峰，专利申请号：CN202411937687.1（已授权）

30.  一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统，周峰、李宇哲、罗中易、张致远、郑昌锐、陆海，专利申请号：CN202411733006.X

31.  一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法，周峰、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202411679755.9（已授权）

32.  一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，周峰、钱俊帆、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202411676733.7（已授权）

33.  一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，周峰、舒崇瑞、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202411676742.6（已授权）

34.  一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法，周峰、张迈、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202411671633.5

35.  一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法，周峰、邹灿、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202411671631.6

36.  氮化镓达林顿晶体管及其制备方法，徐尉宗、谭佳炜、顾广扬、陆海、任芳芳、周峰、周东、张荣，专利申请号：CN202510986235.0（已授权）

37.  基于脉冲激光协同扫描的芯片辐照损伤识别系统及方法，周峰、张迈、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202511187712.3（已授权）

38.  宽禁带半导体器件的动态导通电阻测试装置及测试方法，周峰、唐钲翔、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202511062461.6（已授权）

39.  一种脉冲激光辐照实验装置，周峰、唐钲翔、陆海、徐尉宗、任芳芳、周东，专利申请号：CN202510826207.2（已授权）

40.  一种氮化镓基器件及其制备方法，周峰、俞亦腾、荣玉、陆海、徐尉宗、周东、任芳芳，专利申请号：CN202510131104.4（已授权）

41.  面向阵列器件连续测试的系统、电子设备及存储介质，徐尉宗、苗涛、陆海、任芳芳、周东、周峰，专利申请号：CN202510104344.5