江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室主任、国家杰出青年科学基金获得者、长江学者特聘教授、国家级创新领军人才、国家重点研发计划项目首席科学家。 分别于1996年和1999年从南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年从美国康奈尔大学电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学开展1年博士后研究工作后，于2004年受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年归国任教于南京大学物理系，现任电子科学与工程学院信息电子系主任。

 长期从事宽禁带半导体材料与器件研究，取得了多项具有国际影响力的成果：

  （1）作为国际上富In氮化物半导体研究的开拓者，在InN薄膜生长、电学特性和p型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录，其工作直接导致InN 0.7电子伏特窄禁带特性的重大发现，将Ⅲ族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段，大大拓展了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，多次获《Nature》杂志专文报道；联合修正了多项Ⅲ族氮化物半导体材料体系的基本参数，首先提出Ⅲ族氮化物全光谱异质结太阳能电池的概念。

  （2）作为技术领跑者，研制出系列性能领先的宽禁带半导体紫外探测器，包括飞安级暗电流日盲深紫外探测器、国内第一支半导体紫外单光子探测器、国内第一支极紫外EUV探测器和现有紫外辐照耐量最高的193nm探测器；研制出零盲元1×128和1×256紫外单光子线阵探测器，单光子探测效率突破30%，首次应用于日盲紫外光子计数激光雷达和紫外光子计数成像仪；带领南京大学团队在国内首先实现高灵敏度紫外探测芯片的产业化，成果广泛应用于环境监测、生化检测、工业过程控制、电力安全监控、型号及载荷装备，并对我国战略性半导体装备研发起到重要支撑作用。   

  （3）澄清了GaN基功率电子器件与材料的几个基本物理问题，包括提出Ⅲ族氮化物缺陷诱导对角隧穿模型和金属/氮化物异质结接触的极化场增强辅助隧穿模型等，建立的电场计算公式被三星、欧司朗、M/A COM等大型企业用于器件研制；研制出高热导衬底剥离GaN垂直功率二极管、高雪崩耐量GaN JBS二极管、高阈值电压千伏级GaN功率场效应管和宇航级抗辐照GaN功率场效应管等系列高能效器件，十余次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；提出多种新型器件表征分析方法，研制出首台紫外脉冲激光单粒子辐照模拟与器件表征装置，研发的多项功率器件测试与装备技术实现产业转化。

  此外，近年来还在高能量分辨宽禁带半导体软x射线探测器、极端环境粒子探测器与前端电荷灵敏放大芯片、以及高速低噪音直接电子探测器等方面取得了重要进展。迄今已发表学术论文400余篇，其中包括SCI论文300余篇；所发表文章获SCI他人引用20000余篇次，成果多次刷新世界纪录并被写入科研参考书；已获得28件中国发明专利和5项美国发明专利授权，超过10件专利实现应用转化。曾入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划；曾获江苏省五四青年奖章（2013）、江苏省十大青年科技之星（2014）、教育部技术发明一等奖（2015）、国家技术发明二等奖（2016）。