研究领域
基于宽禁带半导体SiC/GaN研制非制冷、低噪声高能光子、电子极端灵敏探测器，相应面向微弱电荷信号分析，发展配套的大带宽、高信噪比模拟集成芯片，包括宽禁带半导体前端放大芯片、CMOS工艺ASIC芯片等，发展专用系统级封装工艺，实现光子、电子时-空-谱多参量精密测量与应用。
