南京大学宽禁带半导体器件与微纳光电实验室

English Version

首页
研究领域
团队成员
仪器设备
1. 微加工平台
2. 测试平台
发表论文
专利授权
专题资料
联系我们

首页
研究领域
团队成员
仪器设备
1. 微加工平台
2. 测试平台
发表论文
专利授权
专题资料
联系我们
English Version

专题资料

专题资料

当前位置：首页 -> 专题资料

1.III族氮化物半导体材料2025-08-26
2.III族氮化物半导体器件2025-08-26
3.III族氮化物半导体工艺2025-08-26
4.大功率GaN基发光二极管Droop现象中的科学问题2025-08-26
5.GaN同质外延生长及器件应用2025-08-26
6.GaN基发光二极管中Droop现象研究的一点体会2025-08-26
7.III族氮化物可见光与日盲波段光电探测器研究2025-08-26
8.宽禁带半导体紫外光电探测器研究2025-08-26
9.非晶InGaZnO基薄膜场效应晶体管研究2025-08-26
10.高性能非晶InGaZnO基薄膜场效应晶体管与电路研究2025-08-26

共10条首页上页 1 下页

本科生院
研究生院

版权所有南京大学宽禁带半导体器件与微纳光电实验室 2025 All Rights Reserved © Nanjing University | | Email:hailu@nju.edu.cn