近日，第71届国际电子器件大会IEDM 2025（International Electron Devices Meeting，简称 IEDM）在美国旧金山召开。在本届 IEDM 上，南京大学陆海教授团队同期发布了2项光电精密测量芯片工作。其中，在34 | SMB | Integrated Photo Sensors and Applications分会场报道了首款应用于电子显微技术的单电子探测与
在紫外单光子探测领域，传统真空光电倍增管仍是目前采用的主流探测器件，但存在体重大、寿命短、易受磁场和白光干扰等固有问题。碳化硅（SiC）单光子雪崩二极管（SPAD）因其可见光盲、体积小、耐高温等系列性能优势，被视为下一代紫外单光子探测应用的理想选择。然而，因为需要持续在高临界击穿电场下工作，SiC SPAD的可靠性
近日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。会上，南京大学教授陆海介绍了宽禁带半导体紫外探测器的技术及应用发展。紫外探测器的关键应用领域以及基于WBG的光电探测器的最新进展：1）Ⅲ族氮化物基紫外光电探测器；2）碳化硅单光子计数紫外光电倍增管。
近日，南京大学陆海和张荣教授团队在前期研究基础上，创新设计出一种表面梯度掺杂诱导δn-i-p超浅结SiC二极管，并通过开发选区刻蚀、高温氧化修复与低温金属化工艺，成功实现了国际首支宽禁带半导体pn结型EUV探测器
近日，南京大学宽禁带半导体研究团队联合江苏能华微电子科技发展有限公司和哈尔滨工业大学，在半导体器件领域权威会议：第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上以“800-V Irradiation-Hardened Device Technology on GaN-on-SiC Power Integration Platform”为题报告了宽禁带半导体GaN功率器件的抗辐照研究最新成果。南京大学周峰博士为论文第一作者，陆海教授为论文通讯作者。
近日，南京大学科研团队在软 X 射线检测技术领域取得重要突破。相关重要研究成果“4H-SiC-based soft X-ray single photon detector with linear photon energy response”发表于国际知名期刊《Chinese Optics Letters》。论文的通信作者为南京大学的Weizong Xu和Hai Lu。由南京大学电子科学与工程学院、极端性能光电器件与系统教育部重点实验室以及先进微结构协同创新中心等组成的研究团队，成功研发出一种基于 4H - SiC 的软 X 射线单光子探测器，该探测器具有线性光子能量响应能力。
近期在日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓（GaN）功率器件辐照效应研究论文，向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。该工作是在周峰副研究员协助指导下完成，合作单位包括中国空间技术研究院、哈尔滨工业大学、中国科学院近代物理研究所、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子产品可靠性与环境试验研究所。ISPSD是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，本次会议发表了来自12个国家、74个机构的研究成果，涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺、封装和应用等多个方向。